Super praktische Tipps: Inspektionsanforderungen und -methoden für elektronische Komponenten----Halbleitergeräte (2-Was ist eine Triode 2）

https://www.kaichuanpower.com/

Feldeffektröhre: MOS-Feldeffektröhre ist eine Metalloxid-Halbleiter-Feldeffektröhre, die englische Abkürzung ist MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor), ein Typ mit isoliertem Gate.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT nimmt unterschiedliche Werte an, die Leitfähigkeit der Inversionsschicht ändert sich und unter demselben VDS werden unterschiedliche IDS erzeugt, wodurch die Steuerung der Gate-Source-Spannung VGS über den Source-Drain-Strom IDS realisiert wird.
Feldeffektklassifizierung: Feldeffekttransistoren umfassen hauptsächlich Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) und Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET). Das Substrat (B) des Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate ist mit der Source (S) verbunden. Seine drei Pole sind Gate (G), Drain (D) und Source (S). Transistoren werden in NPN- und PNP-Transistoren unterteilt und ihre drei Pole sind Basis (b), Kollektor (c) und Emitter (e). Die Pole G, D und S des Feldeffekttransistors haben ähnliche Funktionen wie die Pole b, c und e des Transistors. Der Unterschied zwischen Effekttransistoren vom Typ mit isoliertem Gate und Feldeffekttransistoren vom Sperrschichttyp besteht darin, dass sich ihre Leitungsmechanismen und Stromsteuerungsprinzipien grundlegend unterscheiden. Röhren vom Verbindungstyp nutzen die Änderung der Breite des Verarmungsbereichs, um die Breite des leitenden Kanals zu ändern und so den Drain-Strom zu steuern. Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate nutzen den elektrischen Feldeffekt auf der Halbleiteroberfläche und die Menge der elektrisch induzierten Ladung, um den leitenden Kanal zu ändern und den Strom zu steuern. Der Unterschied in ihren Eigenschaften führt dazu, dass Sperrschicht-Feldeffekttransistoren häufig in der Eingangsstufe (Vorstufe) von Leistungsverstärkern verwendet werden, während Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate in der Endstufe (Ausgangsstufe) von Leistungsverstärkern verwendet werden. Das Funktionsprinzip des Feldeffekttransistors ist das gleiche wie das der Triode, mit der Ausnahme, dass einer von ihnen ein spannungsgesteuertes Bauteil und das andere ein stromgesteuertes Bauteil ist. Der Feldeffekttransistor hat nur einen PN-Übergang, wie in Abbildung 1-1 dargestellt.